Nch enhancement type MOS FET The part **UPA1901TE-T1** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPA1901TE-T1  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** -30V  
- **Current Rating (ID):** -4.3A  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 85mΩ (typical) @ VGS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 1.5W  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  

### **Descriptions:**  
- The **UPA1901TE-T1** is a P-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-efficiency power management.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Suitable for battery protection, load switching, and power management circuits.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.