Nch enhancement type MOS FET The part **UPA1902TE-T1** is manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **NEC**  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Voltage (Vds):** -30V  
- **Current (Id):** -5.5A  
- **Power Dissipation (Pd):** 1.5W  
- **On-Resistance (Rds(on)):** 90mΩ (max) at Vgs = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (Vgs(th)):** -1.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Compact Package:** SOT-363 (SC-88) for space-saving designs.  
- **Dual P-Channel Configuration:** Suitable for switching and amplification applications.  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast response times.  

This information is strictly based on the available technical data for the **UPA1902TE-T1** by NEC.