### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 6A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  

### **Descriptions:**  
- The UPA1910TE is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion circuits.  
- The SOP-8 package provides compact mounting for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching performance.  
- Built-in gate protection diodes.  
- RoHS compliant.  

(Source: NEC datasheet)