### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Type:** Transistor (Bipolar Junction Transistor - BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60-320 (varies by operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- General-purpose NPN transistor suitable for amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) range for versatile use.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Suitable for low-power applications in consumer electronics, signal amplification, and driver circuits.  
- High transition frequency (f_T) enables use in RF and high-frequency circuits.  

(Note: Always refer to the official NEC datasheet for precise specifications before use.)