P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING **Part Number:** UPA1911ATE  
**Manufacturer:** NEC  
### **Specifications:**  
- **Type:** High-Speed Switching Diode  
- **Package:** SOD-323 (SC-76)  
- **Maximum Reverse Voltage (Vr):** 30V  
- **Average Rectified Current (Io):** 200mA  
- **Peak Forward Surge Current (Ifsm):** 1A  
- **Forward Voltage (Vf):** 1V (max) at 10mA  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 4ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
### **Descriptions and Features:**  
- **Ultra-Fast Switching:** Designed for high-speed applications with a low reverse recovery time.  
- **Low Leakage Current:** Ensures efficient performance in switching circuits.  
- **Compact Package:** SOD-323 (SC-76) surface-mount package for space-saving designs.  
- **Applications:** High-frequency rectification, switching circuits, and protection circuits.  
This diode is suitable for use in consumer electronics, communication devices, and other high-speed digital circuits.