Pch enhancement type MOS FET The part **UPA1912TE-T1** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPA1912TE-T1  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ (max)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- A dual N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- Suitable for low-voltage, high-efficiency circuits.  
- Commonly used in power management, DC-DC converters, and motor control.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching performance.  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs.  
- Suitable for surface-mount technology (SMT).  

This information is strictly based on the manufacturer's provided data.