### **Specifications:**  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.0W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -3.0A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  
- **Dual P-Channel MOSFET** for compact circuit designs.  
- **Low On-Resistance** for efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed** suitable for high-frequency applications.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, load switches, and battery protection circuits.  

(Source: NEC Datasheet)