### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 150 mW  
- **Maximum Drain-Source Voltage (Vds):** 12 V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs):** ±8 V  
- **Maximum Drain Current (Id):** 50 mA  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-frequency amplification** in RF applications.  
- **Low noise figure** for improved signal integrity.  
- **High gain performance** in the GHz frequency range.  
- **Compact SOT-323 package**, suitable for space-constrained designs.  
- **Suitable for mobile communication devices** and other RF circuits.  

For exact performance characteristics, refer to the official NEC datasheet.