### **Specifications:**  
- **Type:** High-frequency amplifier transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 20V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 2A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **Transition Frequency (f_T):** 2GHz  
- **Gain Bandwidth Product:** High-frequency performance  
- **Package:** SOT-89 (TO-243)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-frequency amplification** in RF applications.  
- Suitable for **VHF/UHF** and **microwave** circuits.  
- Low noise and high gain characteristics.  
- Compact **surface-mount package (SOT-89)** for space-saving designs.  
- Used in **wireless communication, RF amplifiers, and signal processing** circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the **UPA2700GR-E2**.