P-channel MOSFET -30 V, -16 A, 5.0 m The part UPA2735GR is manufactured by NEC. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPA2735GR  
- **Type:** RF Power Transistor  
- **Package:** TO-220  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 30W  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 3A  
- **DC Current Gain (hFE):** 20-200  
- **Transition Frequency (fT):** 175MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for RF power amplification in VHF/UHF applications.  
- High power gain and efficiency.  
- Suitable for linear and Class C amplifiers.  
- Robust TO-220 package for heat dissipation.  
- Used in RF transmitters, industrial equipment, and communication systems.  

This information is strictly factual from the available knowledge base.

P-channel MOSFET -30 V, -16 A, 5.0 m