NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD The part **UPA803T** is manufactured by **NEC**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Specifications:**  
- **Type:** Transistor  
- **Category:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Package:** TO-220  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 3A  
- **Power Dissipation (Pd):** 25W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320  
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Suitable for medium-power applications.  
- Robust TO-220 package for efficient heat dissipation.  

This information is based solely on the available knowledge base. Let me know if you need further details.

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD