MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD The UPA805T is a transistor manufactured by NEC. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 1.2GHz (typical)  
- **Noise Figure (NF):** 3dB (typical at 1GHz)  
- **Gain Bandwidth Product:** High  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **low-noise, high-frequency amplification** in RF circuits.  
- Suitable for **VHF/UHF applications**, including **oscillators and mixers**.  
- **Epitaxial planar construction** ensures high performance and reliability.  
- **Low noise characteristics** make it ideal for weak signal amplification.  
- Available in **TO-92 package** for easy mounting.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD