MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD **Manufacturer:** NEC  
**Part Number:** UPA806  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW  
- **Transition Frequency (fT):** 800MHz (min)  
- **Noise Figure (NF):** 3dB (typical at 1GHz)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-frequency and low-noise amplification.  
- Suitable for VHF/UHF applications.  
- Epitaxial planar construction ensures stable performance.  
- Low noise figure makes it ideal for RF signal amplification.  
- Compact and reliable for use in communication devices.  

(Note: Always verify datasheet details for precise specifications.)

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD