MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD The part **UPA807T** is a **N-channel MOSFET** manufactured by **NEC**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPA807T  
### **Type:** N-channel MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.05Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Switching Speed:** Fast switching characteristics  

### **Package Type:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Suitable for power management applications  
- Designed for use in DC-DC converters, motor control, and power switching circuits  

### **Applications:**  
- Power supply circuits  
- DC-DC converters  
- Motor drivers  
- Load switching  

This information is based on NEC's official datasheet for the UPA807T. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the manufacturer's documentation.

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD