### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** -10A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 45mΩ (max) @ VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 750pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- A P-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- Suitable for switching and amplification in low-voltage circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for efficient power handling.  
- Fast switching performance.  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for exact application suitability.)