### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Package:** TO-220  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 30W  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 3A  
- **Transition Frequency (fT):** 175MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for RF and general-purpose amplification.  
- High transition frequency for improved high-frequency performance.  
- Suitable for use in switching and linear amplifier circuits.  
- Robust TO-220 package for efficient heat dissipation.  
- Silicon NPN construction ensures reliability and performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.