### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-speed switching, amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1A  
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- High-speed switching capability  
- Low saturation voltage  
- High current gain  
- Suitable for high-frequency applications  

### **Package:**  
- **TO-92** (plastic-encapsulated)  

This transistor is commonly used in **switching circuits, amplifiers, and high-frequency applications**.