L/ S- BAND SPDT SWITCH The UPG158TB-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by NEC. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPG158TB-E3  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Package:**  
- **Type:** TO-252 (DPAK)  
- **Mounting:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance  
- Fast switching speed  
- High reliability  
- Suitable for power management applications  

This information is based solely on the available technical data for the UPG158TB-E3 from NEC.