NECs 1.8 V L/ S-BAND SPDT SWITCH The UPG2006TB-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by NEC. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPG2006TB-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -6.0A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.05Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The UPG2006TB-E3 is a P-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current handling capability.  
- Compact and surface-mountable DPAK package.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.