NECs L/ S-BAND 4W SPDT SWITCH The UPG2009TB-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by NEC. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -4.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) @ V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The UPG2009TB-E3 is a P-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high-speed switching performance, making it suitable for DC-DC converters, load switches, and other power control circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High-speed switching  
- Low threshold voltage  
- Compact TO-252 (DPAK) package  
- Suitable for power management applications  

This information is based solely on the provided knowledge base.