High power single control L-band SPDT switch. The UPG2010TB-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by NEC. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPG2010TB-E3  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -4.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switching.  
- RoHS compliant.  

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