NECs 4.8 TO 5.85 GHz HIGH POWER GaAs MMIC SPDT SWITCH The UPG2022TB-E4-A is a dual P-channel MOSFET manufactured by NEC. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC (Now part of Renesas Electronics)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -4A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -4A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching speed.  
- Dual P-channel configuration in a single package.  
- Suitable for battery management, power distribution, and load switching.  

This information is based solely on the available knowledge base for the UPG2022TB-E4-A. For detailed application notes or further specifications, refer to the official datasheet.