L-BAND PA DRIVER AMPLIFIER The UPG2110TB-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by NEC. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPG2110TB-E3  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for battery management, load switching, and power distribution circuits.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the UPG2110TB-E3.