SP3T SWITCH FOR BluetoothTM AND 802.11b/g The UPG2150T5L-E2 is a power MOSFET manufactured by NEC. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPG2150T5L-E2  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 20ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typ)  

### **Package:**  
- **Type:** TO-220F (Fully Molded)  
- **Pin Configuration:** Standard TO-220 pinout (Gate, Drain, Source)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for efficient power handling  
- Fast switching speed for high-frequency applications  
- Fully molded TO-220F package for improved thermal performance  
- Suitable for power management, motor control, and switching applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.