L, S-BAND SPDT SWITCH **Manufacturer:** RENESAS  

**Part Number:** UPG2158T5K-E2-A  

### **Specifications:**  
- **Type:** RF MOSFET Transistor  
- **Technology:** GaAs (Gallium Arsenide)  
- **Package:** SOT-89  
- **Operating Frequency:** Up to 2.5 GHz  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 7 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±8 V  
- **Drain Current (ID):** 0.5 A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.3 W  
- **Gain (Power Gain):** High gain for RF applications  
- **Low Noise Figure:** Suitable for low-noise amplification  

### **Descriptions:**  
The UPG2158T5K-E2-A is a high-frequency GaAs RF MOSFET transistor designed for RF amplification in wireless communication applications. It is optimized for low noise and high gain performance, making it suitable for use in mobile devices, wireless LAN, and other RF circuits.  

### **Features:**  
- **High Gain:** Optimized for RF amplification  
- **Low Noise Figure:** Enhances signal clarity  
- **Compact Package:** SOT-89 for space-constrained designs  
- **Wide Frequency Range:** Up to 2.5 GHz  
- **GaAs Technology:** Provides high efficiency and performance in RF applications  

This transistor is commonly used in RF front-end circuits, power amplifiers, and signal amplification stages in wireless communication systems.

L, S-BAND SPDT SWITCH The part **UPG2158T5K-E2-A** is manufactured by **CEL (California Eastern Laboratories)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** CEL (California Eastern Laboratories)  
- **Part Number:** UPG2158T5K-E2-A  
- **Type:** RF Transistor  
- **Category:** Discrete Semiconductor Products  
- **Technology:** GaAs (Gallium Arsenide)  
- **Package:** SOT-343 (SC-70)  
- **Operating Frequency:** Microwave (exact frequency range not specified)  
- **Application:** RF amplification in wireless communication systems  

### **Descriptions:**  
- The **UPG2158T5K-E2-A** is a high-performance GaAs RF transistor designed for low-noise amplification in microwave applications.  
- It is optimized for use in wireless communication devices, including cellular and satellite systems.  

### **Features:**  
- **Low Noise Figure:** Ensures high signal clarity in RF applications.  
- **High Gain:** Provides effective signal amplification.  
- **Small Form Factor:** SOT-343 package enables compact PCB designs.  
- **GaAs Technology:** Delivers high-frequency performance with low power consumption.  
- **Suitable for Wireless Communication:** Ideal for mobile and satellite communication systems.  

For exact electrical characteristics (e.g., noise figure, gain, voltage ratings), refer to the official datasheet from **CEL**.

L, S-BAND SPDT SWITCH The part **UPG2158T5K-E2-A** is manufactured by **NEC**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPG2158T5K-E2-A  
- **Type:** RF Switch  
- **Technology:** GaAs (Gallium Arsenide)  
- **Frequency Range:** DC to 3 GHz  
- **Insertion Loss:** 0.5 dB (typical)  
- **Isolation:** 30 dB (typical)  
- **Supply Voltage:** 3 V  
- **Current Consumption:** 1 mA (typical)  
- **Package Type:** SOT-363 (SC-88)  

### **Descriptions:**  
- A high-performance RF switch designed for wireless communication applications.  
- Suitable for use in mobile devices, Wi-Fi, and other RF systems.  
- Features low insertion loss and high isolation for improved signal integrity.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Operates at 3 V with minimal current draw.  
- **Broadband Performance:** Works effectively from DC to 3 GHz.  
- **Compact Package:** Small SOT-363 (SC-88) footprint for space-constrained designs.  
- **GaAs Technology:** Provides high-speed switching and low distortion.  

This information is based solely on the available knowledge base for **UPG2158T5K-E2-A**.