OMNIFET II: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The **VNS1NV04D13TR** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Description:**  
The **VNS1NV04D13TR** is a **dual N-channel 40 V, 1.5 A (per channel) Power MOSFET** in a **PowerSSO-12** package. It is designed for **automotive and industrial applications**, featuring low on-resistance and high efficiency.  

### **Key Features:**  
- **Dual N-channel MOSFET**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 40 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 1.5 A (per channel)  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 0.25 Ω (max) at VGS = 10 V  
  - 0.35 Ω (max) at VGS = 4.5 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Fast Switching Speed**  
- **AEC-Q101 Qualified** (for automotive applications)  
- **PowerSSO-12 Package** (compact and thermally efficient)  
- **ESD Protection** (enhanced robustness)  

### **Applications:**  
- **Automotive systems** (load switching, motor control)  
- **Industrial controls**  
- **Power management**  
- **DC-DC converters**  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet and product documentation. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the manufacturer's datasheet.

OMNIFET II: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET