OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The **VNS1NV04DPTR-E** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A per channel  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W (total)  
- **Package:** PowerSSO-12 (Exposed Pad)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**.  
- **Dual N-Channel** configuration in a single package.  
- Suitable for **automotive, industrial, and consumer electronics** applications.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive use.  

### **Features:**  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance.  
- **Enhanced thermal performance** due to exposed pad.  
- **ESD protection** for improved reliability.  
- **Pb-free and RoHS compliant**.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation.

OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET