"OMNIFET II": FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The **VNS3NV04D** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details about this component:

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.1Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **Package:** **SO-8**  

### **Descriptions:**  
- The **VNS3NV04D** is a **N-Channel** MOSFET designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**.  
- It is optimized for **automotive and industrial applications** where reliability and performance are critical.  
- Features **low on-resistance** and **fast switching** characteristics.  

### **Features:**  
- **Low threshold drive** for compatibility with logic-level signals.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability in harsh conditions.  
- **ESD protection** for improved robustness.  
- **Automotive-grade** qualification (AEC-Q101 compliant).  
- **Totem-pole current** capability for driving inductive loads.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the **VNS3NV04D**.

"OMNIFET II": FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET