High Speed Infrared Emitting Diodes, 940 nm, GaAlAs, DH The VSMB2020X01 is a high-speed silicon PIN photodiode manufactured by Vishay.  

### **Specifications:**  
- **Package Type:** Surface Mount (SMD)  
- **Wavelength Range:** 400 nm to 1100 nm  
- **Peak Sensitivity Wavelength:** 940 nm  
- **Reverse Voltage (V_R):** 60 V  
- **Dark Current (I_D):** 2 nA (typical at 5 V reverse voltage)  
- **Capacitance (C_j):** 4 pF (typical at 5 V reverse voltage)  
- **Rise Time (t_r):** 1 ns (typical)  
- **Active Area Size:** 0.23 mm²  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed applications such as optical data transmission and industrial sensing.  
- Low junction capacitance for fast response time.  
- High sensitivity in the near-infrared (NIR) spectrum.  
- Suitable for use in ambient light detection, optical encoders, and proximity sensors.  
- RoHS compliant and halogen-free.  

For detailed electrical and optical characteristics, refer to Vishay’s official datasheet.

High Speed Infrared Emitting Diodes, 940 nm, GaAlAs, DH