5 Volt, Byte Alterable E2PROM The X28C512J-15 is a 512K (64K x 8) CMOS EEPROM manufactured by Xicor. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 64K x 8  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 150 ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 32-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles per byte  
- **Data Retention:** 100 years  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Read:** Fast access time of 150 ns.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 30 mA (max)  
  - Standby current: 100 µA (max)  
- **Byte-Write & Page-Write Capability:** Supports both single-byte and 64-byte page write operations.  
- **Hardware & Software Data Protection:**  
  - Built-in noise filtering for write protection.  
  - VCC detection prevents writes during power transitions.  
- **JEDEC Standard Pinout:** Compatible with other 512K EEPROMs.  
- **Self-Timed Write Cycle:** No external timing components required.  
- **CMOS Technology:** Ensures low power and high reliability.  

This EEPROM is designed for applications requiring non-volatile memory storage with fast read/write operations.

5 Volt, Byte Alterable E2PROM The **X28C512J-15** is a 512K (64K x 8) CMOS EEPROM manufactured by **Intersil**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Density:** 512Kbit (64K x 8)  
- **Access Time:** 150ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 32-lead PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles per byte (minimum)  
- **Data Retention:** 100 years (minimum)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM)  
- **Organization:** 65,536 words x 8 bits  
- **Interface:** Parallel  
- **Technology:** CMOS  

### **Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 150ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 30mA (max)  
  - Standby Current: 100µA (max)  
- **Byte-Write and Page-Write Capability:**  
  - 64-byte page write mode  
- **Hardware and Software Data Protection:**  
  - VCC power-up/down protection  
  - Write lockout during power transitions  
- **Self-Timed Write Cycle:**  
  - 5ms typical byte or page write time  
- **JEDEC Standard Pinout:**  
  - Compatible with other 512K EEPROMs  

This EEPROM is designed for applications requiring non-volatile memory with high endurance and reliability.