NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part **ZTX1049A** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–250 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **general-purpose amplification and switching** applications.  
- **High current gain (h_FE)** with low saturation voltage.  
- **Low noise** performance, suitable for audio and signal processing.  
- **Fast switching speed**, making it useful in high-frequency applications.  
- **Surface-mount package (SOT-23)** for compact PCB designs.  
- **High voltage capability**, supporting up to 60V V_CEO.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the ZTX1049A transistor.

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR