NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS The ZTX313 is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 25V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 2A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (minimum at I_C = 500mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The ZTX313 is designed for high-current, high-speed switching and amplification applications. It features low saturation voltage and high current gain, making it suitable for power management and driver circuits.  

### **Features:**  
- **High Current Capability:** Supports up to 2A collector current.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient switching performance.  
- **High Gain Bandwidth Product:** Suitable for RF and fast-switching applications.  
- **TO-92 Package:** Compact and widely used for through-hole mounting.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).

NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS