NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The part ZTX453 is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-noise and high-speed applications.  
- Available in SOT-23 surface-mount package.  
- RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).