PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS Here are the factual details about the ZTX549 transistor from ZETEX (now part of Diodes Incorporated):

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Package:** TO-92 (through-hole)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) with good linearity.  
- Suitable for low-voltage, high-speed switching.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).