**Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 500mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-250 (at IC = 10mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-noise and high-speed applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to the manufacturer's documentation.