PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The part ZTX551 is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **ZTX551 Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-89 (TO-243)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 50 to 250 (at I_C = 500mA, V_CE = 2V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The ZTX551 is a high-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It features a high current gain and low saturation voltage, making it suitable for medium-power applications.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High transition frequency (f_T)  
- Suitable for switching and amplification  
- Robust SOT-89 package for efficient thermal performance  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS