PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The part ZTX551 is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **ZTX551 Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-89 (TO-243)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 50 to 250 (at I_C = 500mA, V_CE = 2V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The ZTX551 is a high-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It features a high current gain and low saturation voltage, making it suitable for medium-power applications.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High transition frequency (f_T)  
- Suitable for switching and amplification  
- Robust SOT-89 package for efficient thermal performance  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.