PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS Here is the factual information about the **ZTX552** transistor from the manufacturer **ZETEX**:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 700mA (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) to 400 (max) at I_C = 100mA  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **ZTX552** is a high-gain, medium-power NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It features low saturation voltage and high current gain, making it suitable for driver stages and low-voltage circuits.  

### **Features:**
- **High current gain (h_FE)** for improved signal amplification.  
- **Low saturation voltage**, enhancing efficiency in switching applications.  
- **High transition frequency (f_T)**, suitable for RF and fast-switching circuits.  
- **TO-92 package**, providing compact and easy mounting.  

For exact datasheet details, refer to the official **ZETEX (Diodes Inc.)** documentation.