**Part Number:** ZTX555  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 160V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 140V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 50 to 250 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- High-voltage NPN transistor suitable for switching and amplification applications.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Designed for medium-power applications.  
- Available in TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and general-purpose circuits.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)