PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS The ZTX557 is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (minimum) at I_C = 100mA  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The ZTX557 is designed for high-speed switching and amplification applications. It offers high current gain and low saturation voltage, making it suitable for use in power management, signal amplification, and switching circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High transition frequency for fast switching  
- Suitable for medium-power applications  
- Robust construction for reliable performance  

For exact performance characteristics, always refer to the official datasheet.