NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS The part ZTX601 is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) to 400 (max) at I_C = 100mA  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz (typical)  
- **Package:** TO-92 (through-hole)  

### **Descriptions:**
- The ZTX601 is a high-gain, medium-power NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is optimized for low saturation voltage and high current gain, making it suitable for driver stages and linear circuits.  

### **Features:**
- **High Current Gain (h_FE):** Ensures efficient signal amplification.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances performance in switching applications.  
- **Moderate Power Handling:** Suitable for small to medium power circuits.  
- **TO-92 Package:** Compact and widely used for prototyping and commercial applications.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).