NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER(DARLINGTON TRANSISTORS) The part ZTX605 is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (minimum at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92 (through-hole)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain with low saturation voltage.  
- Suitable for low-noise and high-speed applications.  
- Robust performance in a compact TO-92 package.  
- Commonly used in audio, signal processing, and driver circuits.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).