NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR Part ZTX649 is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 400 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92 (also available in SOT-23 for variants)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-noise and high-speed circuits.  
- Complementary PNP pair available (ZTX749).  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).