NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The part **ZTX651STOA** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (minimum)  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz  
- **Package:** SOT-89 (Surface Mount)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **ZTX651STOA** is a high-gain, medium-power NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is optimized for high current gain and fast switching performance.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved efficiency  
- Low saturation voltage for better switching performance  
- Suitable for low-power amplification and driver circuits  
- Surface-mount package (SOT-89) for compact PCB designs  
- Robust performance across a wide temperature range  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet from **Diodes Incorporated** (formerly ZETEX).