NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The ZTX688 is a high-performance NPN bipolar transistor manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 20V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 250 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-noise and high-speed applications.  
- Available in SOT-23 surface-mount package for compact designs.  
- RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).