NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part **ZTX692B** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 25V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 3A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) at I_C = 500mA  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-current, low-voltage** switching and amplification applications.  
- **Low saturation voltage**, making it efficient for power applications.  
- **High current gain (h_FE)** for improved performance in driver circuits.  
- **Fast switching speed**, suitable for medium-frequency applications.  
- **TO-92 package**, a compact and widely used through-hole package.  
- Commonly used in **power management, motor control, and general-purpose amplification circuits**.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the **ZTX692B** transistor.