PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The ZTX750 is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 3A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) at I_C = 1A  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92 (also available in SOT223 for certain variants)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-current, high-speed switching and amplification applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency in switching circuits.  
- High current gain (h_FE) ensures strong signal amplification.  
- Suitable for general-purpose amplification, motor control, and power management.  
- Robust construction with a wide operating temperature range.  

For detailed performance curves and application notes, refer to the official ZETEX datasheet.

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The ZTX750 is a high-performance electronic component manufactured by Zetex Semiconductors (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual details about the ZTX750:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92 (through-hole)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) at I_C = 500mA  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) with low saturation voltage.  
- Suitable for medium-power applications in audio, power management, and signal processing.  
- Low noise performance, making it useful in sensitive circuits.  
- Robust construction with good thermal stability.  

These details are based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS