PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS The ZTX755 is a PNP bipolar transistor manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -2A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (typical at I_C = -500mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The ZTX755 is designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  
- The transistor offers high current gain and good frequency response.  

### **Features:**
- High current gain (h_FE) for improved efficiency in low-power circuits.  
- Low saturation voltage for better switching performance.  
- Suitable for audio, power management, and driver applications.  
- Robust construction for reliable operation in various environments.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).