PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS The ZTX757 is a high-voltage NPN bipolar transistor manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 400V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 400V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 160 (at I_C = 100mA, V_CE = 10V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92 (through-hole)  

### **Descriptions:**
- The ZTX757 is designed for high-voltage switching and amplification applications.  
- It is suitable for use in power supplies, inverters, and other circuits requiring medium-power handling with high breakdown voltage.  
- The transistor offers good linearity and current gain, making it useful in both switching and linear applications.  

### **Features:**
- High collector-emitter breakdown voltage (400V).  
- Medium power handling capability (1W).  
- High DC current gain (h_FE up to 160).  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- TO-92 package for easy PCB mounting.  

For exact electrical characteristics and performance curves, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).