PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part **ZTX788A** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**).  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT89 (TO-243)  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 100V  
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 120V  
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V  
- **Continuous Collector Current (Ic):** 3A  
- **Total Power Dissipation (Pd):** 1W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) at Ic = 1A  
- **Transition Frequency (ft):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- High current gain (hFE) with low saturation voltage.  
- Designed for high-voltage switching and linear amplification applications.  
- Suitable for power management, motor control, and general-purpose amplification.  
- Robust construction with good thermal performance due to the SOT89 package.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheets, refer to the manufacturer's official documentation.

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR