PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR The part ZTX789A is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–400 (at I_C = 100mA, V_CE = 2V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions:**  
- The ZTX789A is a high-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It offers high current gain and fast switching speeds, making it suitable for driver stages and low-power switching circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability (100V V_CE)  
- High current gain (h_FE up to 400)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- TO-92 package for easy mounting  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).